晶体取向（偏切角）: +/-3°
激光切缝: <5°
横向公差: +0.2/-0 mm
单面粗糙度Ra: 抛光，Ra < 5 nm（{100}面）
双面粗糙度Ra: 抛光，Ra < 5 nm（{100}面）
厚度公差: +/- 0.05 mm
硼浓度 [B]: <50 ppb
氮浓度 [N]: <50 ppb
晶体学: 通常100%单扇区 {100}
边缘: 激光切割
边缘特征: < 0.2 mm
边缘取向: <110>边
面取向: {100}面
电荷收集效率(CCE): 通常>95%
电荷收集距离(CCD): 通常>475µm，@0.5 Vµm-1外加电场，500µm晶片
部门性: (100)