我们生产3×3 mm至25×25 mm的HPHT IIa型单晶金刚石晶片——全球HPHT金刚石市场最大商业化规格。多种几何形状和晶体取向使材料可适应各类研究和技术应用，从微型传感器元件到电子和光子学大面积基板。
金刚石类型：IIa型（高纯度、绝缘）
生长方法：HPHT（高温高压）控制结晶条件
晶片尺寸范围：3×3 mm至25×25 mm
晶体取向：{100}、{110}、{111}；可按要求定制取向和离轴切割
几何形状：正方形、长方形和定制形状
氮和硼浓度：{111}扇区< 800 ppb；{100}扇区< 100 ppb
晶片类型：多扇面/单扇区
晶片由精密取向籽晶（[100]、[111]、[110]）上HPHT法生长的单晶制备。温度梯度、生长介质组成和压力曲线经优化，以抑制杂质掺入并最小化非平衡缺陷。关键生长参数闭环控制确保高批次间重现性。
氮和硼浓度在{111}扇区不超过800 ppb，{100}扇区不超过100 ppb，对应光学级IIa型金刚石。低浓度未补偿杂质最小化可见光、近红外和太赫兹波段的寄生吸收，同时降低背景光电导和散射损耗。
优化的热生长曲线抑制位错形成、微裂纹和生长条纹。材料表现出低残余双折射，已通过偏振显微镜和应力映射证实。这对偏振光学元件和外延基板至关重要，局部应力会降低界面质量和载流子传输均匀性。
我们的技术可生产高达8×8 mm的单扇区晶片。工作区域内无扇区边界，消除杂质浓度、光学常数和电学性质的空间变化。这对高电场下工作的扩展波导、探测器阵列和电极结构尤为重要。
最终抛光采用纳米级粗糙度控制，表面质量可达Ra 5 nm。平行度、楔角控制和晶体取向精度保持在客户定义公差范围内。
应用领域
光子学和激光光学：拉曼激光器、腔内元件、输出窗口
量子技术：NV中心基板和光子集成电路
大功率高频电子：GaN/AlGaN HEMT基板、散热基板
精密光学和计量：标准具、分束器、极端环境窗口
科学研究：高压物理、X射线光学、电离辐射探测器
晶片尺寸、取向、扇区结构、纯度和表面规格可按客户要求定制。评估样品及支持分析数据（透射光谱、双折射图、粗糙度和取向测量）可应要求提供。
金刚石类型：IIa型（高纯度、绝缘）
生长方法：HPHT（高温高压）控制结晶条件
晶片尺寸范围：3×3 mm至25×25 mm
晶体取向：{100}、{110}、{111}；可按要求定制取向和离轴切割
几何形状：正方形、长方形和定制形状
氮和硼浓度：{111}扇区< 800 ppb；{100}扇区< 100 ppb
晶片类型：多扇面/单扇区
晶片由精密取向籽晶（[100]、[111]、[110]）上HPHT法生长的单晶制备。温度梯度、生长介质组成和压力曲线经优化，以抑制杂质掺入并最小化非平衡缺陷。关键生长参数闭环控制确保高批次间重现性。
氮和硼浓度在{111}扇区不超过800 ppb，{100}扇区不超过100 ppb，对应光学级IIa型金刚石。低浓度未补偿杂质最小化可见光、近红外和太赫兹波段的寄生吸收，同时降低背景光电导和散射损耗。
优化的热生长曲线抑制位错形成、微裂纹和生长条纹。材料表现出低残余双折射，已通过偏振显微镜和应力映射证实。这对偏振光学元件和外延基板至关重要，局部应力会降低界面质量和载流子传输均匀性。
我们的技术可生产高达8×8 mm的单扇区晶片。工作区域内无扇区边界，消除杂质浓度、光学常数和电学性质的空间变化。这对高电场下工作的扩展波导、探测器阵列和电极结构尤为重要。
最终抛光采用纳米级粗糙度控制，表面质量可达Ra 5 nm。平行度、楔角控制和晶体取向精度保持在客户定义公差范围内。
应用领域
光子学和激光光学：拉曼激光器、腔内元件、输出窗口
量子技术：NV中心基板和光子集成电路
大功率高频电子：GaN/AlGaN HEMT基板、散热基板
精密光学和计量：标准具、分束器、极端环境窗口
科学研究：高压物理、X射线光学、电离辐射探测器
晶片尺寸、取向、扇区结构、纯度和表面规格可按客户要求定制。评估样品及支持分析数据（透射光谱、双折射图、粗糙度和取向测量）可应要求提供。